Aixtron Genus StrataGem-200

原子层沉积系统(ALD)

--制造商:Aixtron

--型号: Genus Stratagem 200

--主要配置: 

 1) 两个工艺腔体,分别作为高介电常数介电层薄膜沉积(HfO2、Al2O3) 与金属薄膜沉积(TiN)

 2) 薄膜沉积为热反应方式

 3) 腔体可适用八吋，六吋与破片芯片

 4) 制程厚度:2nm-10nm

 5) 衬底适用Si,Ge,

--机台状况:功能正常,完整

--销售条件:as-is 或是turnkey 均可